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ITO面电阻

发布时间:2014-08-20

ITO膜导电性能采用的指标是方块电阻,用R表示。

 RITO的体电阻率及ITO膜厚有关。

如下图是电流平行经过ITO膜层的情形。图中,d为膜厚;I为电流;L1为膜层在电流方向上的长度;L2为膜层在垂直电流方向的长度。

L2

L1

I

d

 

 

 

 


 

 

当电流流过上图所示的方形导电膜层时,该层的电阻为: 

 


R

=

d

ρ

式中,p为导电膜的体电阻率。对于给定的膜厚层,pd可以认为是不变的定值,当L1=L2时,即为正方形的膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值p/d,这就是方块电阻的定义,即

R=ρxxx

L1

dL2

 

 


式中,R单位为:(Ω/)

 方块电阻通常用四探针测试仪来测定。 

 

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